MRF300AN NXP
Hersteller: NXPDescription: NXP - MRF300AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
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Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
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Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details MRF300AN NXP
Description: NXP - MRF300AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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| MRF300AN |
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MRF300AN | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRF300AN | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRF300AN | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Frequency: 27MHz ~ 250MHz Power - Output: 300W Gain: 28dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Voltage - Test: 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRF300AN | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
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| MRF300AN | Hersteller : NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 50V; TO247-3; THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 50V Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Electrical mounting: THT |
Produkt ist nicht verfügbar |