MRF300AN NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 27MHz ~ 250MHz
Power - Output: 300W
Gain: 28dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Voltage - Test: 50 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 136.59 EUR |
| 10+ | 113.79 EUR |
| 30+ | 107.13 EUR |
| 120+ | 101.19 EUR |
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Technische Details MRF300AN NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF300AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MRF300AN nach Preis ab 81.25 EUR bis 92.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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MRF300AN | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRF300AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF300AN | Hersteller : NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 50V; TO247-3; THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-3 Kind of transistor: RF Electrical mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF300AN |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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MRF300AN | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MRF300AN | Hersteller : NXP |
RF MOSFET LDMOS 50V TO247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRF300AN | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |