MRF300AN NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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Technische Details MRF300AN NXP Semiconductors
Description: NXP - MRF300AN - HF-FET, 133V, 175°C, 272W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MRF300AN nach Preis ab 81.25 EUR bis 135.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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MRF300AN | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Frequency: 27MHz ~ 250MHz Power - Output: 300W Gain: 28dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Voltage - Test: 50 V |
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| MRF300AN | Hersteller : NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 50V; TO247-3; THT Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 50V Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Electrical mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of transistor: RF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MRF300AN | Hersteller : NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 50V; TO247-3; THT Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 50V Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Electrical mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of transistor: RF |
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| MRF300AN | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRF300AN - HF-FET, 133V, 175°C, 272W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| MRF300AN |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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MRF300AN | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRF300AN | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |