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MRF5812GR1 Advanced Semiconductor, Inc.

Hersteller: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor

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Technische Details MRF5812GR1 Advanced Semiconductor, Inc.

Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Gain: 13dB ~ 15.5dB, Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.

Weitere Produktangebote MRF5812GR1

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
MRF5812GR1	MICROSEMI	SOIC 8/BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR MRF5812 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MRF5812GR1	Microsemi	Транзистори	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MRF5812GR1	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MRF5812GR1	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MRF5812GR1

Hersteller: MICROSEMI
SOIC 8/BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR MRF5812
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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MRF5812GR1

Hersteller: Microsemi
Транзистори

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MRF5812GR1

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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MRF5812GR1

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

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