MRF586 MICROSEMI
Hersteller: MICROSEMI
TO-39/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS MRF586
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Technische Details MRF586 MICROSEMI
Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39, Supplier Device Package: TO-39, Frequency - Transition: 3GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Power - Max: 1W, Gain: 13.5dB, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote MRF586
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MRF586 | Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 Supplier Device Package: TO-39 Frequency - Transition: 3GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1W Gain: 13.5dB Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk |
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MRF586 | Advanced Semiconductor, Inc. |
RF Bipolar Transistors RF Transistor |
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| MRF586 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 3GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1W
Gain: 13.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 3GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1W
Gain: 13.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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| MRF586 |
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Hersteller: Advanced Semiconductor, Inc.
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