Technische Details MRF586 Microsemi
Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Gain: 13.5dB, Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 3GHz, Supplier Device Package: TO-39.
Weitere Produktangebote MRF586
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MRF586 | Hersteller : MICROSEMI |
TO-39/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS MRF586 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRF586 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 13.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 3GHz Supplier Device Package: TO-39 |
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MRF586 | Hersteller : Advanced Semiconductor, Inc. |
 RF Bipolar Transistors RF Transistor |
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