MRF6S20010GNR1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 10W
Gain: 15.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 130 mA
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 113.26 EUR |
| 10+ | 105.68 EUR |
| 25+ | 101.25 EUR |
| 100+ | 91.76 EUR |
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Technische Details MRF6S20010GNR1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270BA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.17GHz, Power - Output: 10W, Gain: 15.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270-2 GULL, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 68 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 130 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MRF6S20010GNR1 |
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auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MRF6S20010GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV6 2GHZ 10W |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MRF6S20010GNR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 10W Gain: 15.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 130 mA |
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