MRF6S20010GNR1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 10W
Gain: 15.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 130 mA
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 83.74 EUR |
| 10+ | 68.73 EUR |
| 25+ | 64.98 EUR |
| 100+ | 60.87 EUR |
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Technische Details MRF6S20010GNR1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2, Current - Test: 130 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 68 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-270-2 GULL, Technology: LDMOS, Gain: 15.5dB, Power - Output: 10W, Frequency: 2.17GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-270BA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MRF6S20010GNR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF6S20010GNR1 |
|
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| MRF6S20010GNR1 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV6 2GHZ 10W |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF6S20010GNR1 |
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auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MRF6S20010GNR1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV6 2GHZ 10W
RF MOSFET Transistors HV6 2GHZ 10W
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)