MRF6S9130HR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 950 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 68 V
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 19.2dB
Power - Output: 27W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details MRF6S9130HR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 950 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 68 V, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Technology: LDMOS, Gain: 19.2dB, Power - Output: 27W, Frequency: 880MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-957A, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MRF6S9130HR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF6S9130HR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV6 900MHZ 130W NI780H |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF6S9130HR3 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV6 900MHZ 130W NI780H
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