Produkte > NXP USA INC. > MRF6S9130HR3
MRF6S9130HR3

MRF6S9130HR3 NXP USA Inc.


MRF6S9130H.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 950 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 68 V
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 19.2dB
Power - Output: 27W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MRF6S9130HR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 950 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 68 V, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Technology: LDMOS, Gain: 19.2dB, Power - Output: 27W, Frequency: 880MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-957A, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote MRF6S9130HR3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MRF6S9130HR3 Hersteller : NXP Semiconductors mrf6s9130h.pdf RF MOSFET Transistors HV6 900MHZ 130W NI780H
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH