MRF6V2010GNR1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270G-2
Current - Test: 30 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 110 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-270G-2
Technology: LDMOS
Gain: 23.9dB
Power - Output: 10W
Frequency: 220MHz
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BA
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Technische Details MRF6V2010GNR1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270G-2, Current - Test: 30 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 110 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-270G-2, Technology: LDMOS, Gain: 23.9dB, Power - Output: 10W, Frequency: 220MHz, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270BA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MRF6V2010GNR1 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 10W TO270-2GN |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF6V2010GNR1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 10W TO270-2GN
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