MRF6V2010GNR1 NXP Semiconductors
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Technische Details MRF6V2010GNR1 NXP Semiconductors
Description: FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270BA, Frequency: 220MHz, Power - Output: 10W, Gain: 23.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270G-2, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 30 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MRF6V2010GNR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Frequency: 220MHz Power - Output: 10W Gain: 23.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270G-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 30 mA |
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MRF6V2010GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 10W TO270-2GN |
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