MRF6V2150NBR1 NXP
Hersteller: NXPТранзистор полевой ВЧ БМ TO-272 WB-4 Lateral N-channel RF Power MOSFET 150 W, 10-450 MHz, 50 Vdc
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 364.56 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MRF6V2150NBR1 NXP
Транзистор полевой ВЧ БМ TO-272 WB-4 Lateral N-channel RF Power MOSFET 150 W, 10-450 MHz, 50 Vdc.
Weitere Produktangebote MRF6V2150NBR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V2150NBR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
MRF6V2150NBR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
MRF6V2150NBR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
MRF6V2150NBR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 150W |
Produkt ist nicht verfügbar |