MRF6V2150NBR1 NXP
Hersteller: NXPТранзистор полевой ВЧ БМ TO-272 WB-4 Lateral N-channel RF Power MOSFET 150 W, 10-450 MHz, 50 Vdc
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Technische Details MRF6V2150NBR1 NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-272BB, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 450MHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 150W, Gain: 25dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-272 WB-4, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 450 mA.
Weitere Produktangebote MRF6V2150NBR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MRF6V2150NBR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R |
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MRF6V2150NBR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA |
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MRF6V2150NBR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA |
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| MRF6V2150NBR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 450MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA |
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MRF6V2150NBR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 150W |
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