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MRF6V3090NBR1


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Technische Details MRF6V3090NBR1

Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-272BB, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 860MHz, Power - Output: 18W, Gain: 22dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-272 WB-4, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 350 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR1 NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-272BB
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 860MHz
Power - Output: 18W
Gain: 22dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-272 WB-4
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
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MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR1 NXP Semiconductors MRF6V3090N-1127339.pdf RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MRF6V3090NBR1
MRF6V3090NBR1
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-272BB
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 860MHz
Power - Output: 18W
Gain: 22dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-272 WB-4
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
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MRF6V3090NBR1
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
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