Technische Details MRF6VP121KHR6 FRS
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Current - Test: 150 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 110 V, Supplier Device Package: NI-1230, Technology: LDMOS, Gain: 20dB, Power - Output: 1000W, Configuration: Dual, Frequency: 1.03GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-1230, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MRF6VP121KHR6 | NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 1.03GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MRF6VP121KHR6 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 1kW 50V NI1230H |
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| MRF6VP121KHR6 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 110 V
Supplier Device Package: NI-1230
Technology: LDMOS
Gain: 20dB
Power - Output: 1000W
Configuration: Dual
Frequency: 1.03GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 110 V
Supplier Device Package: NI-1230
Technology: LDMOS
Gain: 20dB
Power - Output: 1000W
Configuration: Dual
Frequency: 1.03GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230
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| MRF6VP121KHR6 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 1kW 50V NI1230H
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