MRF7S19080HSR5
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Technische Details MRF7S19080HSR5
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 750 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-780S, Technology: LDMOS, Gain: 18dB, Power - Output: 24W, Frequency: 1.99GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-780S, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MRF7S19080HSR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MRF7S19080HSR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 750 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 24W Frequency: 1.99GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF7S19080HSR5 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 750 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780S
Technology: LDMOS
Gain: 18dB
Power - Output: 24W
Frequency: 1.99GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 750 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780S
Technology: LDMOS
Gain: 18dB
Power - Output: 24W
Frequency: 1.99GHz
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