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MRF7S21110HR5 NXP (VIA ROCHESTER)

4159000.pdf
Hersteller: NXP (VIA ROCHESTER)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF7S21110HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz
Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: -W
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Technische Details MRF7S21110HR5 NXP (VIA ROCHESTER)

Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF7S21110HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz, Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -W, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MRF7S21110HR5 MRF7S21110HR5 NXP USA Inc. MRF7S21110H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 1.1 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 17.3dB
Power - Output: 33W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF7S21110HR5 MRF7S21110H.pdf
MRF7S21110HR5
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 1.1 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 17.3dB
Power - Output: 33W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH