MRF7S21170HR5
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Technische Details MRF7S21170HR5
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H, Current - Test: 1.4 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-880H-2L, Technology: LDMOS, Gain: 16dB, Power - Output: 50W, Frequency: 2.17GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-957A, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MRF7S21170HR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MRF7S21170HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-880H-2L Technology: LDMOS Gain: 16dB Power - Output: 50W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF7S21170HR5 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 16dB
Power - Output: 50W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 16dB
Power - Output: 50W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
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