MRF7S21170HR5
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Technische Details MRF7S21170HR5
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.17GHz, Power - Output: 50W, Gain: 16dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880H-2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MRF7S21170HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 50W Gain: 16dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880H-2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF7S21170HR5 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-957A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 50W
Gain: 16dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-957A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 50W
Gain: 16dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
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