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MRF8P20160HR3

MRF8P20160HR3 NXP USA Inc.



Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 550 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780-4
Technology: LDMOS
Gain: 16.5dB
Power - Output: 37W
Configuration: Dual
Frequency: 1.92GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details MRF8P20160HR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 550 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-780-4, Technology: LDMOS, Gain: 16.5dB, Power - Output: 37W, Configuration: Dual, Frequency: 1.92GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-780-4, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MRF8P20160HR3 MRF8P20160HR3 Hersteller : NXP Semiconductors MRF8P20160H-1127156.pdf RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 160W NI780H-4
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