Technische Details MRF8P9300HR6 FRS
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 960MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 100W, Gain: 19.4dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230, Voltage - Rated: 70 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 2.4 A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MRF8P9300HR6 | NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 960MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 19.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 2.4 A |
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MRF8P9300HR6 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV8-900 100W 28V NI1230H |
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| MRF8P9300HR6 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 960MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 100W
Gain: 19.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Voltage - Rated: 70 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 2.4 A
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 960MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 100W
Gain: 19.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Voltage - Rated: 70 V
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Current - Test: 2.4 A
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| MRF8P9300HR6 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV8-900 100W 28V NI1230H
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