MRF8S18120HR3
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Technische Details MRF8S18120HR3
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Technology: LDMOS, Gain: 18.2dB, Power - Output: 72W, Frequency: 1.81GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-957A, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 800 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MRF8S18120HR3 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 18.2dB Power - Output: 72W Frequency: 1.81GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 800 mA |
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| MRF8S18120HR3 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 18.2dB
Power - Output: 72W
Frequency: 1.81GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 800 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 18.2dB
Power - Output: 72W
Frequency: 1.81GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 800 mA
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