MRF8S18210WGHSR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 30V NI880XS
Current - Test: 1.3 A
Voltage - Test: 30 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-880XS-2 GULL
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 17.8dB
Power - Output: 50W
Configuration: N-Channel
Frequency: 1.93GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-880XS-2 GW
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details MRF8S18210WGHSR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 30V NI880XS, Current - Test: 1.3 A, Voltage - Test: 30 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-880XS-2 GULL, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Gain: 17.8dB, Power - Output: 50W, Configuration: N-Channel, Frequency: 1.93GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-880XS-2 GW, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MRF8S18210WGHSR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MRF8S18210WGHSR3 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors HV8 1.8GHZ 210W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF8S18210WGHSR3 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV8 1.8GHZ 210W
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