MRF8S26120HSR5
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Technische Details MRF8S26120HSR5
Description: FET RF 65V 2.69GHZ NI780S, Current - Test: 900 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-780S, Technology: LDMOS, Gain: 15.6dB, Power - Output: 28W, Frequency: 2.69GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-780S, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MRF8S26120HSR5 | NXP USA Inc. |
Description: FET RF 65V 2.69GHZ NI780S Current - Test: 900 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-780S Technology: LDMOS Gain: 15.6dB Power - Output: 28W Frequency: 2.69GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) |
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| MRF8S26120HSR5 |
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: FET RF 65V 2.69GHZ NI780S
Current - Test: 900 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-780S
Technology: LDMOS
Gain: 15.6dB
Power - Output: 28W
Frequency: 2.69GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: FET RF 65V 2.69GHZ NI780S
Current - Test: 900 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-780S
Technology: LDMOS
Gain: 15.6dB
Power - Output: 28W
Frequency: 2.69GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S
Packaging: Tape & Reel (TR)
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