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MRFE6S9125NBR1

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Technische Details MRFE6S9125NBR1

Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4, Current - Test: 950 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 66 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-272 WB-4, Technology: LDMOS, Gain: 20.2dB, Power - Output: 27W, Frequency: 880MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: TO-272BB, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MRFE6S9125NBR1 MRFE6S9125NBR1 NXP USA Inc. MRFE6S9125N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4
Current - Test: 950 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-272 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 20.2dB
Power - Output: 27W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-272BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MRFE6S9125NBR1 NXP / Freescale MRFE6S9125N-1127463.pdf RF MOSFET Transistors HV6E 125W
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MRFE6S9125NBR1
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4
Current - Test: 950 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-272 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 20.2dB
Power - Output: 27W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-272BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: NXP / Freescale
RF MOSFET Transistors HV6E 125W
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