MRFE6S9160HSR3
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Technische Details MRFE6S9160HSR3
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 1.2 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 66 V, Supplier Device Package: NI-780S, Technology: LDMOS, Gain: 21dB, Power - Output: 35W, Frequency: 880MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-780S, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MRFE6S9160HSR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MRFE6S9160HSR3 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 1.2 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 66 V Supplier Device Package: NI-780S Technology: LDMOS Gain: 21dB Power - Output: 35W Frequency: 880MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) |
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| MRFE6S9160HSR3 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 1.2 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-780S
Technology: LDMOS
Gain: 21dB
Power - Output: 35W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 1.2 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-780S
Technology: LDMOS
Gain: 21dB
Power - Output: 35W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S
Packaging: Tape & Reel (TR)
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