MRFE6S9205HR3
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Technische Details MRFE6S9205HR3
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H, Current - Test: 1.4 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 66 V, Supplier Device Package: NI-880H-2L, Technology: LDMOS, Gain: 21.2dB, Power - Output: 58W, Frequency: 880MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-957A, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MRFE6S9205HR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MRFE6S9205HR3 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 66 V Supplier Device Package: NI-880H-2L Technology: LDMOS Gain: 21.2dB Power - Output: 58W Frequency: 880MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRFE6S9205HR3 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 21.2dB
Power - Output: 58W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 21.2dB
Power - Output: 58W
Frequency: 880MHz
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Package / Case: SOT-957A
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