MRFE6VP100HSR5 NXP Semiconductors
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Technische Details MRFE6VP100HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 512MHz, Power - Output: 100W, Gain: 26dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote MRFE6VP100HSR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MRFE6VP100HSR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MRFE6VP100HSR5 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MRFE6VP100HSR5 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780S T/R |
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| MRFE6VP100HSR5 |
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 100W
Gain: 26dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 100W
Gain: 26dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Voltage - Rated: 133 V
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| MRFE6VP100HSR5 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
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| MRFE6VP100HSR5 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780S T/R
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780S T/R
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