MRFE6VP6300HR5 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details MRFE6VP6300HR5 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 1.05kW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Weitere Produktangebote MRFE6VP6300HR5 nach Preis ab 1378.08 EUR bis 1378.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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MRFE6VP6300HR5 | NXP |
Description: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 1.05kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP6300HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRFE6VP6300HR5 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.05kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
Description: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
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Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.05kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 1378.08 EUR |
| MRFE6VP6300HR5 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 26.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 26.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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