Technische Details MRFE6VP6300HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 130 V, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Technology: LDMOS, Gain: 26.5dB, Power - Output: 300W, Configuration: Dual, Frequency: 230MHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-780S-4L, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MRFE6VP6300HSR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 130 V Supplier Device Package: NI-780S-4L Technology: LDMOS Gain: 26.5dB Power - Output: 300W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: NI-780S-4L Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MRFE6VP6300HSR5 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780S-4 |
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MRFE6VP6300HSR5 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780S T/R |
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| MRFE6VP6300HSR5 |
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Technology: LDMOS
Gain: 26.5dB
Power - Output: 300W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780S-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Technology: LDMOS
Gain: 26.5dB
Power - Output: 300W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780S-4L
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| MRFE6VP6300HSR5 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780S-4
RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780S-4
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| MRFE6VP6300HSR5 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780S T/R
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780S T/R
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