MRFE6VP6600GNR3 NXP Semiconductors
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Technische Details MRFE6VP6600GNR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780G-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 600W, Gain: 24.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780G-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote MRFE6VP6600GNR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MRFE6VP6600GNR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MRFE6VP6600GNR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780G-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 24.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780G-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MRFE6VP6600GNR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |