Technische Details MRFE6VP6600GNR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 133 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: OM-780G-4L, Technology: LDMOS, Gain: 24.7dB, Power - Output: 600W, Configuration: Dual, Frequency: 230MHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: OM-780G-4L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MRFE6VP6600GNR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| MRFE6VP6600GNR3 | NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Part Status: Active Supplier Device Package: OM-780G-4L Technology: LDMOS Gain: 24.7dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: OM-780G-4L Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MRFE6VP6600GNR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V |
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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MRFE6VP6600GNR3 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R |
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRFE6VP6600GNR3 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: OM-780G-4L
Technology: LDMOS
Gain: 24.7dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: OM-780G-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: OM-780G-4L
Technology: LDMOS
Gain: 24.7dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: OM-780G-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| MRFE6VP6600GNR3 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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| MRFE6VP6600GNR3 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R
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