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MRFE6VS25GNR1

MRFE6VS25GNR1 NXP Semiconductors

MRFE6VS25N-3139510.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6E 25W50V TO270-2G
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Technische Details MRFE6VS25GNR1 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270BA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 512MHz, Power - Output: 25W, Gain: 25.4dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270-2 GULL, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 10 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MRFE6VS25GNR1 MRFE6VS25GNR1 NXP USA Inc. MRFE6VS25N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
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MRFE6VS25GNR1 MRFE6VS25GNR1 NXP USA Inc. MRFE6VS25N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
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MRFE6VS25GNR1
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
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Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Voltage - Rated: 133 V
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