MRFE6VS25LR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-360
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-360
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-360
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-360
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
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Technische Details MRFE6VS25LR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VS25LR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-360, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: NI-360, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote MRFE6VS25LR5 nach Preis ab 102.22 EUR bis 127.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MRFE6VS25LR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-360 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-360 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRFE6VS25LR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors VHV6E 25W50V NI360L |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRFE6VS25LR5 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VS25LR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-360 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: NI-360 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VS25LR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin NI-360 T/R |
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