MRFG35003N6AT1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5
Current - Test: 180 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 8 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5
Technology: pHEMT FET
Gain: 10dB
Power - Output: 450mW
Frequency: 3.55GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 30.99 EUR |
| 10+ | 24.75 EUR |
| 25+ | 23.2 EUR |
| 100+ | 21.49 EUR |
| 250+ | 20.67 EUR |
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Technische Details MRFG35003N6AT1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5, Current - Test: 180 mA, Voltage - Test: 6 V, Voltage - Rated: 8 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PLD-1.5, Technology: pHEMT FET, Gain: 10dB, Power - Output: 450mW, Frequency: 3.55GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PLD-1.5, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MRFG35003N6AT1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFG35003N6AT1 | NXP Semiconductors |
RF JFET Transistors 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 |
auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRFG35003N6AT1 |
|
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRFG35003N6AT1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF JFET Transistors 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
RF JFET Transistors 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| MRFG35003N6AT1 |
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auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)