MRFG35030R5
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Technische Details MRFG35030R5
Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V, Technology: pHEMT FET, Gain: 12dB, Power - Output: 3W, Frequency: 3.55GHz, Package / Case: HF-600, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 650 mA, Voltage - Test: 12 V, Voltage - Rated: 15 V.
Weitere Produktangebote MRFG35030R5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFG35030R5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V Technology: pHEMT FET Gain: 12dB Power - Output: 3W Frequency: 3.55GHz Package / Case: HF-600 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 650 mA Voltage - Test: 12 V Voltage - Rated: 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRFG35030R5 |
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V
Technology: pHEMT FET
Gain: 12dB
Power - Output: 3W
Frequency: 3.55GHz
Package / Case: HF-600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 650 mA
Voltage - Test: 12 V
Voltage - Rated: 15 V
Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V
Technology: pHEMT FET
Gain: 12dB
Power - Output: 3W
Frequency: 3.55GHz
Package / Case: HF-600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 650 mA
Voltage - Test: 12 V
Voltage - Rated: 15 V
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