MRFX1K80NR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Voltage - Test: 65 V
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Technische Details MRFX1K80NR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 179V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Betriebsfrequenz, max.: 400MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 3.333kW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: OM-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Weitere Produktangebote MRFX1K80NR5 nach Preis ab 514.15 EUR bis 1593.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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MRFX1K80NR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRFX1K80NR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-1230-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L Voltage - Test: 65 V |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRFX1K80NR5 | NXP |
Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 179V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 400MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 3.333kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: OM-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRFX1K80NR5 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 636.04 EUR |
| 10+ | 548.98 EUR |
| 25+ | 527.24 EUR |
| 50+ | 514.15 EUR |
| MRFX1K80NR5 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Voltage - Test: 65 V
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Voltage - Test: 65 V
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 648.35 EUR |
| 10+ | 559.59 EUR |
| 25+ | 537.43 EUR |
| MRFX1K80NR5 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 179V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 400MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 3.333kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: OM-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 179V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 400MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 3.333kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: OM-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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