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MS1336 APT


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Technische Details MS1336 APT

Description: RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: M135, Frequency - Transition: 175MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, Current - Collector (Ic) (Max): 8A, Power - Max: 70W, Gain: 10dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Package / Case: M135, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MS1336 Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: M135
Frequency - Transition: 175MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Power - Max: 70W
Gain: 10dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: M135
Packaging: Bulk
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MS1336 Microsemi RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
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MS1336
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: M135
Frequency - Transition: 175MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Power - Max: 70W
Gain: 10dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: M135
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MS1336
Hersteller: Microsemi
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
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