MS2200 MICROSEMI

Hersteller: MICROSEMI
RF AND MICROWAVE TRANSISTORS UHF PULSED APPLICATIONS MS2200
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Technische Details MS2200 MICROSEMI

Description: RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102, Packaging: Bulk, Package / Case: M102, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 9.7dB, Power - Max: 1167W, Current - Collector (Ic) (Max): 43.2A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 400MHz ~ 500MHz, Supplier Device Package: M102.

Weitere Produktangebote MS2200

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	MS2200	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102 Packaging: Bulk Package / Case: M102 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 9.7dB Power - Max: 1167W Current - Collector (Ic) (Max): 43.2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 400MHz ~ 500MHz Supplier Device Package: M102	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MS2200

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102
Packaging: Bulk
Package / Case: M102
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 9.7dB
Power - Max: 1167W
Current - Collector (Ic) (Max): 43.2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 400MHz ~ 500MHz
Supplier Device Package: M102

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH