MS2200 MICROSEMI
Hersteller: MICROSEMI
RF AND MICROWAVE TRANSISTORS UHF PULSED APPLICATIONS MS2200
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
RF AND MICROWAVE TRANSISTORS UHF PULSED APPLICATIONS MS2200
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Technische Details MS2200 MICROSEMI
Description: RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102, Packaging: Bulk, Package / Case: M102, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 9.7dB, Power - Max: 1167W, Current - Collector (Ic) (Max): 43.2A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 400MHz ~ 500MHz, Supplier Device Package: M102.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| MS2200 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102 Packaging: Bulk Package / Case: M102 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 9.7dB Power - Max: 1167W Current - Collector (Ic) (Max): 43.2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 400MHz ~ 500MHz Supplier Device Package: M102 |
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