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MSCD100-12 Microsemi

Hersteller: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode

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Technische Details MSCD100-12 Microsemi

Description: DIODE MODULE GP 1200V 100A D1, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 300 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Supplier Device Package: D1, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Diode Configuration: 1 Pair Series Connection, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: D1, Packaging: Bulk.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	MSCD100-12	Microsemi Corporation	Description: DIODE MODULE GP 1200V 100A D1 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Supplier Device Package: D1 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: D1 Packaging: Bulk	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSCD100-12

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE GP 1200V 100A D1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Supplier Device Package: D1
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D1
Packaging: Bulk

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