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MSD30-08 Microsemi

Hersteller: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode

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Technische Details MSD30-08 Microsemi

Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 30A MSD, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 100 A, Current - Average Rectified (Io): 30 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: MSD, Technology: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Three Phase, Mounting Type: QC Terminal, Package / Case: M1, Packaging: Bulk.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	MSD30-08	Microsemi Corporation	Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 30A MSD Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 100 A Current - Average Rectified (Io): 30 A Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: MSD Technology: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Three Phase Mounting Type: QC Terminal Package / Case: M1 Packaging: Bulk	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSD30-08

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 30A MSD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 100 A
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSD
Technology: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Three Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: M1
Packaging: Bulk

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