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NDS9430A

NDS9430A ON Semiconductor

nds9430a.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details NDS9430A ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V.

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NDS9430A NDS9430A Hersteller : ON Semiconductor nds9430a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
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NDS9430A NDS9430A Hersteller : ON Semiconductor nds9430a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
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NDS9430A NDS9430A Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS18848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
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NDS9430A Hersteller : FAI NDS9430A.pdf FAIRS18848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SO-8
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NDS9430A Hersteller : FAI NDS9430A.pdf FAIRS18848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
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NDS9430A Hersteller : FAIRCHILD NDS9430A.pdf FAIRS18848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
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NDS9430A NDS9430A Hersteller : onsemi NDS9430A.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
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