NE3503M04-T2-A Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 12dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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| Anzahl | Preis |
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| 365+ | 1.33 EUR |
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Technische Details NE3503M04-T2-A Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 12GHz, Gain: 12dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| NE3503M04-T2-A |
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NE3503M04-T2-A Produktcode: 191033
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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NE3503M04-T2-A | Hersteller : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Current Rating (Amps): 70mA Frequency: 12GHz Gain: 12dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.45dB Supplier Device Package: M04 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
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| NE3503M04-T2-A | Hersteller : Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
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NE3503M04-T2-A | Hersteller : CEL |
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