NGTB15N120FL2WG
Produktcode: 172890
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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NGTB15N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 41990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB15N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 122520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB15N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB15N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB15N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB15N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 14080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB15N120FL2WG | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 15A Power dissipation: 147W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 109nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB15N120FL2WG | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 294 W |
auf Bestellung 85504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NGTB15N120FL2WG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NGTB15N120FL2WG | Hersteller : onsemi |
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NGTB15N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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