NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor
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Technische Details NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: -/165ns, Switching Energy: 560µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 156 W.
Weitere Produktangebote NGTB15N120IHLWG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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NGTB15N120IHLWG Produktcode: 108636 |
Hersteller : ONS |
 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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NGTB15N120IHLWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NGTB15N120IHLWG | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/165ns Switching Energy: 560µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 156 W |
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NGTB15N120IHLWG | Hersteller : onsemi |
IGBT Transistors IGBT 1200V 15A FS1 Induction Heating |
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