NJD2873T4G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.35 EUR |
| 5000+ | 0.32 EUR |
| 7500+ | 0.31 EUR |
| 12500+ | 0.29 EUR |
| 17500+ | 0.28 EUR |
| 25000+ | 0.27 EUR |
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Technische Details NJD2873T4G onsemi
Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NJD2873T4G nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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NJD2873T4G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 50V 12.5W NPN |
auf Bestellung 19072 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NJD2873T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W |
auf Bestellung 34354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NJD2873T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.68W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 13464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJD2873T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.68W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 13464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJD2873T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NJD2873T4G******** |
auf Bestellung 57500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NJD2873T4G | Hersteller : ON |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NJD2873T4G | Hersteller : ON |
0649+ |
auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NJD2873T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 16034 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NJD2873T4G | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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