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NJD2873T4G

NJD2873T4G onsemi

njd2873t4-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Power - Max: 1.68 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency - Transition: 65MHz
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Technische Details NJD2873T4G onsemi

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK, Power - Max: 1.68 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: DPAK, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Frequency - Transition: 65MHz.

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NJD2873T4G NJD2873T4G onsemi njd2873t4-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.68 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
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NJD2873T4G NJD2873T4G onsemi njd2873t4-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 50V 12.5W NPN
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
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Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
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