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NJD2873T4G

NJD2873T4G onsemi

njd2873t4-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details NJD2873T4G onsemi

Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.68, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 65, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NJD2873T4G NJD2873T4G Hersteller : onsemi NJD2873T4_D-2318221.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 50V 12.5W NPN
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NJD2873T4G NJD2873T4G Hersteller : onsemi njd2873t4-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
auf Bestellung 5815 Stücke:
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20+1.35 EUR
23+ 1.16 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.63 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NJD2873T4G NJD2873T4G Hersteller : ONSEMI 2354493.pdf Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.68
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 15800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJD2873T4G NJD2873T4G Hersteller : ON Semiconductor njd2873t4-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 57500 Stücke:
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auf Bestellung 2100 Stücke:
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