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NTD3055-150T4G

NTD3055-150T4G ON Semiconductor

ntd3055150d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details NTD3055-150T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
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263+0.55 EUR
267+0.53 EUR
272+0.51 EUR
276+0.49 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 263
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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259+0.56 EUR
263+0.53 EUR
267+0.5 EUR
272+0.48 EUR
276+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 259
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 857 Stücke:
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G onsemi ntd3055-150-d.pdf MOSFETs 60V 9A N-Channel
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2+2.11 EUR
10+1.31 EUR
100+0.87 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 15636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
14+1.32 EUR
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ONSEMI 2355438.pdf Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 88 Stücke:
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ONSEMI 2355438.pdf Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 88 Stücke:
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NTD3055150T4G ON
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NTD3055-150T4G ON ntd3055-150-d.pdf TO-252/D-PAK
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
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Anzahl Preis
263+0.55 EUR
267+0.53 EUR
272+0.51 EUR
276+0.49 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 263
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NTD3055-150T4G
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Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
259+0.56 EUR
263+0.53 EUR
267+0.5 EUR
272+0.48 EUR
276+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 259
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NTD3055-150T4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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NTD3055-150T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 857 Stücke:
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Anzahl Preis
776+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 776
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NTD3055-150T4G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 9A N-Channel
auf Bestellung 3224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.11 EUR
10+1.31 EUR
100+0.87 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
NTD3055-150T4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 15636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.11 EUR
14+1.32 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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NTD3055-150T4G 2355438.pdf
NTD3055-150T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 88 Stücke:
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NTD3055-150T4G 2355438.pdf
NTD3055-150T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 23000 Stücke:
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NTD3055-150T4G************
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055150T4G
Hersteller: ON
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
Hersteller: ON
TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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