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NTD3055-150T4G

NTD3055-150T4G ON Semiconductor

ntd3055150d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details NTD3055-150T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 28.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

Weitere Produktangebote NTD3055-150T4G nach Preis ab 0.5 EUR bis 3.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.68 EUR
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4655 Stücke:
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251+0.69 EUR
255+0.68 EUR
259+0.65 EUR
263+0.63 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.7 EUR
251+0.67 EUR
255+0.63 EUR
259+0.61 EUR
263+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ON Semiconductor ntd3055150d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
776+0.84 EUR
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G onsemi ntd3055-150-d.pdf MOSFETs 60V 9A N-Channel
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2+2.53 EUR
10+1.59 EUR
100+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 2831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.77 EUR
50+1.32 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ONSEMI 2355438.pdf Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 1477 Stücke:
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79+3.18 EUR
125+1.87 EUR
188+1.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G ONSEMI 2355438.pdf Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 1477 Stücke:
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125+1.87 EUR
188+1.14 EUR
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1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NTD3055-150T4G**********
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NTD3055150T4G ON
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NTD3055-150T4G ON ntd3055-150-d.pdf TO-252/D-PAK
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Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD3055-150T4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
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Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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251+0.69 EUR
255+0.68 EUR
259+0.65 EUR
263+0.63 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4655 Stücke:
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247+0.7 EUR
251+0.67 EUR
255+0.63 EUR
259+0.61 EUR
263+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 857 Stücke:
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NTD3055-150T4G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 9A N-Channel
auf Bestellung 3028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.59 EUR
100+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTD3055-150T4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 2831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.83 EUR
12+1.77 EUR
50+1.32 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4G 2355438.pdf
NTD3055-150T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.18 EUR
125+1.87 EUR
188+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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NTD3055-150T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.18 EUR
125+1.87 EUR
188+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055150T4G
Hersteller: ON
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
Hersteller: ON
TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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