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NTF3055L108T1G

NTF3055L108T1G ON Semiconductor

ntf3055l108-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NTF3055L108T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G Hersteller : ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G Hersteller : onsemi ntf3055l108-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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500+0.51 EUR
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NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G Hersteller : onsemi ntf3055l108-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G Hersteller : onsemi NTF3055L108_D-2318842.pdf MOSFETs 60V 3A N-Channel
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NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G Hersteller : ONSEMI NTF3055L108.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 9A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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27+2.65 EUR
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NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G Hersteller : ONSEMI NTF3055L108.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 9A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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35+2.04 EUR
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NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G Hersteller : ONSEMI 2140530.pdf Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G Hersteller : ONSEMI 2140530.pdf Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G Hersteller : ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTF3055L108T1G************
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