NXH006P120MNF2PTG
Produktcode: 201505
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Weitere Produktangebote NXH006P120MNF2PTG nach Preis ab 367 EUR bis 661.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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NXH006P120MNF2PTG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NXH006P120MNF2PTG | onsemi |
Description: SIC MODULES HALF BRIDGE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Inverter Voltage - Isolation: 3000Vrms Current: 304 A Voltage: 1.2 kV |
auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NXH006P120MNF2PTG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NXH006P120MNF2PTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 304A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 950W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NXH006P120MNF2PTG | onsemi |
MOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NXH006P120MNF2PTG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NXH006P120MNF2PTG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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NXH006P120MNF2PTG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NXH006P120MNF2PTG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 367 EUR |
| NXH006P120MNF2PTG |
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Hersteller: onsemi
Description: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV
Description: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 398.69 EUR |
| 20+ | 375.23 EUR |
| NXH006P120MNF2PTG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 426.62 EUR |
| NXH006P120MNF2PTG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 950W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 950W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 477.21 EUR |
| 5+ | 434.25 EUR |
| NXH006P120MNF2PTG |
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Hersteller: onsemi
MOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
MOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 496.5 EUR |
| 10+ | 423.15 EUR |
| NXH006P120MNF2PTG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 661.03 EUR |
| 2+ | 628.22 EUR |
| 3+ | 595.21 EUR |
| NXH006P120MNF2PTG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NXH006P120MNF2PTG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)