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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NXH003P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+406.59 EUR
10+396.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 979W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1195nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+400.11 EUR
20+358.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 350A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 5.88mΩ
Drain current: 350A
Pulsed drain current: 700A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 979W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 979W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+497.82 EUR
5+453.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.48kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+403.78 EUR
20+384.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTNGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 435A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 5.88mΩ
Drain current: 435A
Pulsed drain current: 870A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1482W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+535.24 EUR
5+487.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTNGonsemiMOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+437.15 EUR
10+430.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+653.29 EUR
5+594.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES(NON TIM PRINT VERSION)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+439.13 EUR
10+408.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.098W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+367.1 EUR
20+345.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 785W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+319.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 284A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 785W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+494.85 EUR
5+447.9 EUR
10+402.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+348.99 EUR
10+331.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 284A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 568A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 785W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+564.25 EUR
5+513.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTNGonsemiMOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+388.84 EUR
20+380.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTNGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 338A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 338A
Pulsed drain current: 676A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1098W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 14606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+359.61 EUR
20+336.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+291.51 EUR
10+273.05 EUR
20+264.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 191A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 14.6mΩ
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 382A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 556W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 556W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 191A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11914pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 622nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 80mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+260.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+356.95 EUR
5+320.94 EUR
10+286.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+367 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGonsemiDescription: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+398.69 EUR
20+375.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 950W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+477.21 EUR
5+434.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+661.03 EUR
2+628.22 EUR
3+595.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGonsemiMOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+496.5 EUR
10+423.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+426.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 7.28mΩ
Drain current: 304A
Pulsed drain current: 912A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 950W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTG
Produktcode: 201505
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH007F120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+392.64 EUR
5+353.04 EUR
10+315.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH007F120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+327.08 EUR
10+306.33 EUR
20+296.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH007F120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 149A; PIM34; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM34
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 15.9mΩ
Drain current: 149A
Pulsed drain current: 447A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 353W
Topology: H-bridge
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH007F120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Power - Max: 353W (Tj)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+287.56 EUR
20+280.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008P120M3F1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 382W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+164.2 EUR
10+156.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008P120M3F1PGonsemiMOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+191.53 EUR
10+174 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+187.31 EUR
10+180.2 EUR
112+169.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 382W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+205.25 EUR
10+165.87 EUR
28+156.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008T120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+307 EUR
10+279.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008T120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 371W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9129pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+302.87 EUR
20+297.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008T120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+356.9 EUR
5+320.91 EUR
10+286.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008T120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 127A; PIM29; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM29
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 387A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 371W
Topology: 3-level inverter TNPC
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120M3F1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+133.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120M3F1PGonsemiMOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+167 EUR
10+147.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+162.46 EUR
10+142.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
auf Bestellung 4227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+133.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+199.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 543-547 Tag (e)
1+306.83 EUR
10+287.37 EUR
28+278.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PNGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+255.56 EUR
10+208.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+228.94 EUR
28+197.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 1084-1088 Tag (e)
1+306.83 EUR
10+287.37 EUR
28+278.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+328.92 EUR
5+285.25 EUR
10+244.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+226.77 EUR
28+195.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+199.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material, Nickel Plated
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 507-511 Tag (e)
1+257.53 EUR
10+224.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+199.35 EUR
28+168.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+244.47 EUR
28+214.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH010P90MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.74V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 328W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+313.42 EUR
5+277.53 EUR
10+243.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 87-91 Tag (e)
1+291.65 EUR
10+241.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011F120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+354.11 EUR
5+307.97 EUR
10+265.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011F120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+243 EUR
10+226.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011F120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 105A; PIM34; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM34
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 21.9mΩ
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 316A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 244W
Topology: H-bridge
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011F120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 284nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 100A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6211.6pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 244W (Tj)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+211.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011T120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 91A; PIM29; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM29
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 28.1mΩ
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 273A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 272W
Topology: 3-level inverter TNPC
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011T120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 70A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 306nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 40mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
auf Bestellung 13928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+218.32 EUR
20+184.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011T120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+159.44 EUR
5+144.68 EUR
10+130.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011T120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+203.55 EUR
10+203.51 EUR
100+196.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH015F120M3F1P1TGonsemiDescription: 15 MOHM SIC M3S MOSFET, 1200 V,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH015P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+143.19 EUR
10+122.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH015P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 77A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 198W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4696pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 30mA
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+135.8 EUR
10+108.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020F120MNF1PGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020F120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+250.39 EUR
28+207.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020F120MNF1PGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020F120MNF1PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020F120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+428.03 EUR
5+377.09 EUR
10+329.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020F120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+295.79 EUR
10+291.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020F120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+301.46 EUR
28+257.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+231.07 EUR
10+217.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+235.51 EUR
28+192.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+235.51 EUR
28+192.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+293.13 EUR
5+252.3 EUR
10+214.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020U90MNF2PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020U90MNF2PTGonsemiMOSFET Modules PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+313.3 EUR
10+312.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020U90MNF2PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+319.31 EUR
20+275.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020U90MNF2PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+283.73 EUR
5+263.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH022S120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK MODULE
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+156.7 EUR
112+145.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH022S120M3F1PTGonsemiDescription: 22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
Packaging: Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+159.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH027B120MNF2PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F2 FULL SIC BOOST 1200V 27MOHM TIM PRESS-FIT PINS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH027B120MNF2PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+644.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030F120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+136.93 EUR
10+116.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030F120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
FET Feature: Depletion Mode
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+139.55 EUR
28+102.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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