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NXH003P120M3F2PTHGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 36-Pin PIM Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 979W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1195nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+337.00 EUR
20+317.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 979W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+341.67 EUR
10+332.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.48kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+362.37 EUR
20+345.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTNGonsemiMOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+367.35 EUR
10+362.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTNGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 435A 36-Pin PIM Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.098W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+322.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES(NON TIM PRINT VERSION)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+361.26 EUR
10+338.36 EUR
20+327.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTHGON SemiconductorSilicon Carbide Module -Elite SIC, 4mohm SIC M3 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 785W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+289.22 EUR
20+265.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 284A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 785W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+293.27 EUR
10+278.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTNGonsemiMOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+326.76 EUR
20+319.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTNGON SemiconductorNXH004P120M3F2PTNG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+304.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120M3F2PTHGON SemiconductorSilicon Carbide Module MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 556W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 191A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11914pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 622nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 80mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+218.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+244.97 EUR
10+229.45 EUR
20+222.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A Automotive 36-Pin PIM Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGonsemiDescription: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+335.03 EUR
20+315.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGonsemiMOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 6 mohm SiC MOSFET, 1200 V, Half Bridge 2-PACK, F2 Package
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+345.03 EUR
10+337.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+561.87 EUR
2+522.38 EUR
3+487.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 0.00548 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 950W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00548ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+362.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+311.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
22uF 6.3V X5R 20% 0805 (CL21A226MQQNNNE)
Produktcode: 201505
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH007F120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH007F120M3F2PTHGON SemiconductorSiliconCarbide Module MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH007F120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 353W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+241.65 EUR
20+235.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH007F120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+274.86 EUR
10+257.42 EUR
20+249.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008P120M3F1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 382W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+137.98 EUR
10+131.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008P120M3F1PGonsemiMOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+167.46 EUR
10+152.89 EUR
28+145.87 EUR
56+142.65 EUR
112+139.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+167.48 EUR
10+152.91 EUR
28+145.89 EUR
56+142.65 EUR
112+139.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 382W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+172.48 EUR
10+139.39 EUR
28+131.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008T120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 371W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9129pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+254.51 EUR
20+249.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008T120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+195.99 EUR
10+181.53 EUR
20+174.84 EUR
60+172.76 EUR
100+170.67 EUR
260+169.01 EUR
500+168.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008T120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120M3F1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+111.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120M3F1PGonsemiMOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+144.25 EUR
10+131.68 EUR
28+125.63 EUR
56+122.85 EUR
112+119.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
auf Bestellung 4227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+111.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+141.20 EUR
10+128.92 EUR
28+122.99 EUR
56+120.26 EUR
112+117.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+167.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 543-547 Tag (e)
1+257.84 EUR
10+241.49 EUR
28+233.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PNGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+214.76 EUR
10+175.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PNGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+188.78 EUR
10+167.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+269.70 EUR
10+255.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 1084-1088 Tag (e)
1+257.84 EUR
10+241.49 EUR
28+233.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTNGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+167.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material, Nickel Plated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+143.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 507-511 Tag (e)
1+216.41 EUR
10+188.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+213.35 EUR
10+193.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 87-91 Tag (e)
1+245.08 EUR
10+202.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P90MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH010P90MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.74V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 328W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011F120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011F120M3F2PTHGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 105A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011F120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 244W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6211.6pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 284nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+177.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011F120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+215.76 EUR
10+199.74 EUR
20+192.46 EUR
60+187.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011T120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011T120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 70A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 306nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 40mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
auf Bestellung 13928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+183.46 EUR
20+155.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011T120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+120.37 EUR
10+96.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH015P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 77A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 198W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4696pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 30mA
auf Bestellung 153 Stücke:
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NXH015P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
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NXH020F120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A
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NXH020F120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
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NXH020F120MNF1PGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020F120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020F120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
auf Bestellung 28 Stücke:
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1+253.90 EUR
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NXH020F120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020F120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+170.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+182.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+198.37 EUR
10+170.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020U90MNF2PTGonsemiMOSFET Modules SiC Modules, Vienna Module 900V, 2 x 10 mohm SiC MOSFET, 1200V, 2 x 100A, F2 Package
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+261.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020U90MNF2PTGONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020U90MNF2PTGONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020U90MNF2PTGON SemiconductorSiC Modules, Vienna Module SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020U90MNF2PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020U90MNF2PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+267.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH022S120M3F1PTGonsemiDescription: 22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+160.60 EUR
28+132.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH022S120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH027B120MNF2PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+462.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH027B120MNF2PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F2 FULL SIC BOOST 1200V 27MOHM TIM PRESS-FIT PINS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH027B120MNF2PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030F120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
FET Feature: Depletion Mode
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.12 EUR
10+90.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030F120M3F1PTGON SemiconductorSiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030F120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 325-329 Tag (e)
1+118.57 EUR
10+107.45 EUR
28+103.73 EUR
56+100.02 EUR
112+96.32 EUR
252+95.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+134.48 EUR
10+122.78 EUR
28+117.13 EUR
56+114.52 EUR
112+111.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 42A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2271pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+106.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030S120M3F1PTGonsemiDescription: 30M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+134.18 EUR
28+106.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030S120M3F1PTGON Semiconductor30m ohm 1200V 40A M3S SiC 6-Pack Module
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PGonsemionsemi PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+120.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PGON SemiconductorNXH040F120MNF1PG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH040F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+198.37 EUR
28+170.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm SiC M1 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+144.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+172.94 EUR
28+144.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0PGonsemiDescription: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0PG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 61A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.17 EUR
24+83.18 EUR
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NXH100B120H3Q0PTGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+89.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0SGonsemiDiscrete Semiconductor Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+102.48 EUR
10+93.86 EUR
24+89.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0SG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 61A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NXH100B120H3Q0SGonsemiDescription: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.17 EUR
24+83.18 EUR
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NXH100B120H3Q0STGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+87.35 EUR
24+83.18 EUR
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NXH100B120H3Q0STGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 186000mW Tray
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NXH100B120H3Q0STGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins, TIM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100T120L3Q0S1NGonsemiIGBT Modules 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLATED DBC
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.75 EUR
10+107.85 EUR
24+101.11 EUR
48+92.44 EUR
264+91.52 EUR
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NXH100T120L3Q0S1NGonsemiDescription: 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 122 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4877 pF @ 25 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+98.42 EUR
24+89.47 EUR
48+86.49 EUR
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NXH1010-WB
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NXH1010UK/S3,518NXP Semiconductors935287739518
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NXH1031UK/A4BZNXP Semiconductors935307661043
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NXH1501UK/A3ZNXP Semiconductors935304943012
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NXH1501UK/A4ZNXP Semiconductors935307902012
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NXH1501UK/A5ZNXP Semiconductors935351916012
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NXH16.000AC12FJENJAAN07+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NXH16.000AC12FJENJAAN07+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NXH160T120L2Q1SGonsemiDescription: PIM Q1 SPLIT T-TYPE NPC 160A 120
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38164 pF @ 25 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: 30-PIM (71x37.4)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+151.59 EUR
21+122.71 EUR
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NXH160T120L2Q1SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A Solder pins
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+135.04 EUR
10+126.97 EUR
21+123.99 EUR
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NXH160T120L2Q1SGON SemiconductorQ1PACK Module
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NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 181 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+183.85 EUR
12+155.68 EUR
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NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiIGBT Modules MASS PIM 1200V, 160A SPLIT TNPC (INSOURCING)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+187.65 EUR
12+173.71 EUR
24+167.39 EUR
60+163.26 EUR
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NXH160T120L2Q2F2S1GON SemiconductorPower IGBT Module Transistor
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NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 181A 500mW 56-Pin Case 180AK Tray
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NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+207.94 EUR
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NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: POWER INTEGRATED MODULE (PIM), I
Packaging: Bulk
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+210.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NXH1900UK/B3ZNXP Semiconductors935350897012
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2003UK/C1AZNXP SemiconductorsHigh Performance RF IC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2004UK/A1ZNXP SemiconductorsNXH2004UK/A1Z
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2004UK/A2ZNXP USA Inc.Description: NXH2004UK/A2Z
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsNXH2004UK/A2Z
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsUltra-low Power Hearing Aid SoC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsRF System on a Chip - SoC NXH2004UK/A2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200B100H4F2SGonsemiDescription: 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.523 nF @ 20 V
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+233.15 EUR
20+205.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200B100H4F2SGonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+214.81 EUR
10+214.77 EUR
20+214.72 EUR
60+212.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200B100H4F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200B100H4F2SG-RonsemiDescription: 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6523 pF @ 20 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+287.81 EUR
20+274.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200B100H4F2SG-RonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+306.80 EUR
10+287.34 EUR
20+278.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2SGON SemiconductorSi SiC Hybrid Module, Split T Type NPC, IGBT 1200 V, 200 A and 650 V, 150 A. SiC Diode 650 V, 75 A. Solder pins
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiDescription: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+217.29 EUR
12+189.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pins
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin and Thermal Interface Material
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiDescription: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2STNGonsemiDescription: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+189.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2STNGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin, Thermal Interface Material and Ni-plated DBC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2180UK,518NXP USA Inc.Description: MI-RADIO TRANSCEIVER WITH FLASH
Packaging: Bulk
auf Bestellung 254838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+27.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2261UK/A1BSCZNXP USA Inc.Description: NXH2261UK - NFMI RADIO FOR WIREL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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NXH2261UK/A1BSCZNXP SemiconductorsHigh Performance Communication IC
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NXH2265UK/A0BSCZNXP SemiconductorsNXP Semiconductors NXH2265UK/WLCSP40//A0BSC/REEL 7 Q1 DP CHIPS
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NXH2265UK/A0BSCZNXP SemiconductorsNFMI Radio 40-Pin WLCSP T/R
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NXH2280DKNXP SemiconductorsNXH2280DK
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NXH2280DKR,598NXP SemiconductorsNxH2280 Demokit
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NXH2280DKRULNXP SemiconductorsBL SECURE INTERFACES & POWER
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NXH2280UKNXP SemiconductorsHigh Performance RF IC
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NXH2280UK/C1012NXP SemiconductorsDescription: NXH2280UK - Power Distribution S
Packaging: Bulk
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+16.41 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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NXH2280UK/C1ZNXP SemiconductorsNXH2280UK/C1Z
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NXH2280UK/C1ZNXP SemiconductorsDescription: NXH2280 - NFMI RADIO FOR WIRELES
Packaging: Bulk
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+16.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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NXH2281SDKULNXP SemiconductorsBL SECURE INTERFACES & POWER
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NXH2281UK/A1BSCZNXP SemiconductorsHigh Performance RF IC
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NXH2281UK/A1ZNXP SemiconductorsHigh Performance RF IC
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NXH24.000AC12FJENJAAN07+
auf Bestellung 2000 Stücke:
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NXH24.000AC12FJENJAAN07+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NXH240B120H3Q1P1GonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+153.93 EUR
21+124.99 EUR
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NXH240B120H3Q1P1GonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Power Integrated Module (PIM), 3-channel Boost Press-fit pins
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+144.88 EUR
10+137.35 EUR
21+126.28 EUR
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NXH240B120H3Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM) 3-channel 1200 V IGBT + SiC Boost, 80 A IGBT and 20 A SiC diode Press-fit pins
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+148.14 EUR
10+123.94 EUR
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NXH240B120H3Q1PGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+124.13 EUR
21+118.20 EUR
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NXH240B120H3Q1PG-RonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+201.96 EUR
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NXH240B120H3Q1PG-RonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+234.61 EUR
10+217.17 EUR
21+209.25 EUR
42+204.04 EUR
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NXH240B120H3Q1S1GonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+124.98 EUR
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NXH240B120H3Q1S1GonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Power Integrated Module (PIM), 3-channel Boost Solder pins
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+152.05 EUR
10+138.81 EUR
21+132.42 EUR
42+129.48 EUR
105+126.28 EUR
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NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+209.56 EUR
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NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.082 nF @ 20 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+207.42 EUR
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NXH25.000AC20F-BT-3
auf Bestellung 65342 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NXH25C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+120.49 EUR
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NXH25C120L2C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25C120L2C2SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 25A 20mW 26-Pin DIP Tube
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NXH25C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 25A CIB
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.10 EUR
12+105.99 EUR
252+105.41 EUR
504+104.83 EUR
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NXH25T120L2Q1PGON SemiconductorIGBT Transistor Module
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NXH25T120L2Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 25 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25T120L2Q1PGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25T120L2Q1PTGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25T120L2Q1PTGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A 1200V PRESS-FIT PINS TIM
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NXH27.000AG10F-BK6
auf Bestellung 65397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NXH300B100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 73A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+245.57 EUR
12+219.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel flying capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules PIM 1500V 250KW Q2BOOST
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: PIM 1500V 250KW Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+215.30 EUR
10+187.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2SGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+197.52 EUR
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NXH300B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 73A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel flying capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2SG-RonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 115-119 Tag (e)
1+413.53 EUR
10+387.32 EUR
25+374.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+357.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300N95H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 1500V 125KW I-NPC Q2 PACK STRING INVERTER SOLAR PIM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2P1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+262.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiDescription: IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+269.90 EUR
12+244.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+463.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiDescription: GEN1.5 1500V MASS MARKET
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+411.75 EUR
12+400.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2PGonsemiDescription: IC MODULE PIM 350A 1000V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+275.39 EUR
12+250.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+268.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2S1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 115-119 Tag (e)
1+476.75 EUR
10+446.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiDescription: GEN1.5 1500V MASS MARKET
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+422.26 EUR
12+412.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH350N100H4Q2F2SGonsemiDescription: IC MODULE PIM 350A 1000V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.333 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2ESGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2ESGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+139.06 EUR
12+122.46 EUR
102+115.40 EUR
252+114.72 EUR
504+114.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2S1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CI
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+132.11 EUR
12+119.72 EUR
30+106.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CIB
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+157.68 EUR
12+154.33 EUR
54+153.95 EUR
102+151.54 EUR
252+150.96 EUR
2502+150.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+157.90 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670ADKNXP USA Inc.Description: NXH3670ADK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670ADKNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670ADK
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+921.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670ADKNXP SemiconductorsUltra-low power 2.4 GHz Bluetooth Low Energy transceiver for audio streaming
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670SDKULNXP USA Inc.Description: NXH3670SDK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670SDKULNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670SDK
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1923.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLCSP
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.a.2
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: GFSK
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC MCU BLE HEADPHONE AUDIO WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I²S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.49 EUR
10+18.77 EUR
25+17.06 EUR
100+15.36 EUR
250+14.08 EUR
500+12.80 EUR
1000+11.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670UK/A1ZNXP SemiconductorsHigh Bluetooth IC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 128KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Übertragungsstrom: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Bauform - HF-IC: WLCSP
MCU-Core-Größe: 32bit
Betriebstemperatur, min.: -20°C
HF/IF-Modulation: GFSK
RAM-Speichergröße: 96KB
Übertragungsrate: 2Mbps
Anwendungsbereiche MCU: Bluetooth Low Energy-Transceiver
ADC-Kanäle: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.402GHz
MCU-Familie: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: NXH3670
Produktpalette: -
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
Embedded-Schnittstelle: I2S, SPI, UART
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Datenbusbreite: 32bit
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Bauform - MCU: WLCSP
Schnittstellen: I2S, SPI, UART
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
ADC-Auflösung: -
CPU-Geschwindigkeit: 32MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
Frequenz, max.: 2.48GHz
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: 3A991.a.2
Empfangsstrom: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC MCU BLE HEADPHONE AUDIO WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I²S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3670UK/A1ZNXP SemiconductorsRF Microcontrollers - MCU NXH3670UK/A1
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.43 EUR
25+10.38 EUR
100+9.54 EUR
250+9.42 EUR
2000+7.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3675UK/A1ZNXP SemiconductorsNXH3675UK/A1Z
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3675UK/A1ZNXP SemiconductorsAudio DSPs NXH3675UK/A1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3675UK/A1ZNXP USA Inc.Description: NXH3675UK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3675UK/A2ZNXP SemiconductorsRF System on a Chip - SoC NXH3675UK/A2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3675UK/A2ZNXP USA Inc.Description: NXH3675UK/A2Z
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH3675UK/A2ZNXP SemiconductorsNXH3675UK/A2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40.000AF20F-BK3
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400B100H4Q2F2PGonsemiDescription: N06NF Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+237.62 EUR
10+218.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules N06NF Q2BOOST
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+235.80 EUR
10+225.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules N06NF Q2BOOST#1
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+235.80 EUR
10+225.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400B100H4Q2F2SGonsemiDescription: N06NF Q2BOOST#1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+237.62 EUR
10+218.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+322.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2PGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1000V 409A/409A/360A/360A 959W 42-Pin PIM Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 409A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+345.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 409A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+360.92 EUR
12+345.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2SGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+341.70 EUR
12+322.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+591.64 EUR
10+554.14 EUR
25+536.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+500.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiDiscrete Semiconductor Modules I-Type NPC 1000 V, 200 A IGBT, 1000 V, 75 A Diode Solder Pin
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+292.60 EUR
12+287.90 EUR
24+282.64 EUR
60+278.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiDescription: ESS 200KW PIM SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 48-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 980 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.06 nF @ 20 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+284.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ0SNGonsemiMOSFET Modules 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+142.60 EUR
10+133.85 EUR
24+118.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ0SNGonsemiDescription: 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+138.44 EUR
24+110.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ0SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ1SNGonsemiDescription: 30KW Q1BOOST FULL SIC
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
Power - Max: 156 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 800 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+266.90 EUR
21+250.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ1SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40B120MNQ1SNGonsemiMOSFET Modules 30KW Q1BOOST FULL SIC
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+163.06 EUR
10+154.83 EUR
21+154.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 40 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 3TNPC Q1PACK 1200V/40
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1PTGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 40A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.753 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1PTGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 40 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins, Thermal Interface Material
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 42A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 146W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: NXH40T120L3Q1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 42A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1SGonsemiIGBT Modules SUNGROW 20KW Q1PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH40T120L3Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE SUNGROW 20KW Q1PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+99.46 EUR
21+98.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Press-fit pins
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+226.86 EUR
12+226.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiDescription: 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+211.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 101A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PGON SemiconductorSi SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Press fit pins
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiDescription: 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+383.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiIGBT Modules 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+453.27 EUR
10+424.53 EUR
25+410.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 101A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Solder pins
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiDescription: 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+237.55 EUR
12+210.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450N65L4Q2F2PGonsemiDescription: 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 36-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+207.33 EUR
10+178.32 EUR
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NXH450N65L4Q2F2PGON SemiconductorNXH450N65L4Q2F2PG
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NXH450N65L4Q2F2S1GON SemiconductorNXH450N65L4Q2F2S1G
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NXH450N65L4Q2F2S1GonsemiDescription: 120KW 1100V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+215.44 EUR
12+186.62 EUR
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NXH450N65L4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), I-Type NPC 650 V, 450 A IGBT, 650 V, 250 A Diode, 175degC Module Operating Junction Temperature
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+221.44 EUR
12+204.99 EUR
24+200.85 EUR
60+192.60 EUR
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NXH450N65L4Q2F2SGON Semiconductor3-Level NPC Inverter IGBT Module
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiDescription: 136KW 650V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 136KW 650V Q2PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH450N65L4Q2F2SGON Semiconductor3-Level NPC Inverter IGBT Module
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ES1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ES1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+176.65 EUR
12+151.27 EUR
30+147.31 EUR
54+146.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ES1GON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 20mW 26-Pin DIP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ES1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+167.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.897 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+163.84 EUR
12+161.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ESGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 20mW 26-Pin DIP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ESGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4C2ESGonsemiDescription: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.608 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4C2SGonsemiIGBT Modules 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+111.87 EUR
12+101.38 EUR
30+97.87 EUR
54+94.37 EUR
102+90.89 EUR
252+90.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4C2SGonsemiDescription: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.877 nF @ 20 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+108.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4Q1PTGonsemiDescription: 6KW H6.5 50A Q1PACK PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4Q1PTGON SemiconductorIGBT Module, H6.5 Topology
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4Q1SGON SemiconductorIGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 50 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4Q1SGonsemiDescription: Q1PACK 50A 650V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+101.62 EUR
21+76.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules IGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 50 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.25 EUR
10+94.60 EUR
21+81.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104ADBULNXP SemiconductorsEEPROM 4MB EEPROM demo board, SO8-footprint compatible
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+288.57 EUR
10+251.42 EUR
25+250.75 EUR
50+244.01 EUR
100+217.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104UK/A1SZNXP Semiconductors935376972012
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104UK/A1ZNXP SemiconductorsEEPROM 4 Mbit Serial EEPROM
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.47 EUR
10+13.32 EUR
25+12.46 EUR
100+11.67 EUR
250+11.32 EUR
500+10.75 EUR
1000+10.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH5104UK/A1Z - EEPROM, 4 Mbit, Seriell SPI, 5 MHz, WLCSP, 13 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -20
Versorgungsspannung, min.: 1
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: -
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 13
Produktpalette: 4Mbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104UK/A1ZNXP SemiconductorsEEPROM Serial-SPI 4M-bit 1.6V 13-Pin WLCSP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.68 EUR
10+13.93 EUR
25+13.28 EUR
50+12.81 EUR
100+12.36 EUR
250+11.78 EUR
500+11.36 EUR
1000+10.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600A100H4F5SNGonsemiDescription: F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER P
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600A100H4F5SNGonsemiIGBT Modules F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER PIN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2PGonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PR
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1 kV
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13256 pF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+307.24 EUR
10+257.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PRESS-FIT PIN
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+314.99 EUR
10+285.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 173 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 422 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
auf Bestellung 3742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+302.49 EUR
10+278.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+290.56 EUR
10+288.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+266.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 200 A IGBT, 1200 V, 60 A SiC Diode Solder pins
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+364.00 EUR
36+285.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N100L4F5PGonsemiIGBT Modules 15709 F5 INVENTER WITH BASEPLATE
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+352.95 EUR
10+330.56 EUR
24+319.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N100L4F5PGonsemiDescription: 15709 F5 INVENTER WITH BASEPLATE
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiDescription: 150KW 1100V Q2PACK SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 41-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 483 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 931 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37.1 nF @ 20 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+227.02 EUR
10+199.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), I-Type NPC 650 V, 600 A IGBT, 650 V, 300 A Diode Solder pins
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH75M65L4Q1PTGonsemiDescription: 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.21 EUR
21+83.22 EUR
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NXH75M65L4Q1PTGonsemiIGBT Modules 6KW H65 75A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000
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NXH75M65L4Q1PTGON SemiconductorIGBT Module, H6.5 Topology
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NXH75M65L4Q1SGON SemiconductorIGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 75 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins
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NXH75M65L4Q1SGonsemiDescription: Q1PACK 75A 650V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+118.80 EUR
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NXH75M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules Q1PACK 75A 650V
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NXH800A100L4Q2F2P1Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE WITH PRESS-FIT PIN
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NXH800A100L4Q2F2P2Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE WITH PRESS-FIT PIN
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NXH800A100L4Q2F2S1GonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+232.53 EUR
10+205.62 EUR
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NXH800A100L4Q2F2S1Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
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NXH800A100L4Q2F2S2Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
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NXH800A100L4Q2F2S2GonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+232.53 EUR
10+205.62 EUR
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NXH800H120L7QDSGON SemiconductorNXH800H120L7QDSG
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NXH800H120L7QDSGonsemiDescription: 1200V 800A QDUAL3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 11-PIM (152x62.15)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 94300 pF @ 25 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+313.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH800H120L7QDSGonsemiIGBT Modules 1200V 800A QDUAL3
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+324.53 EUR
10+303.95 EUR
24+294.18 EUR
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NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Bulk
auf Bestellung 28543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+131.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103mW 20-Pin Case 180AJ Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120H2Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120H2Q0SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 40 A, 2.2 V, 103 W, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 40
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: 103
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+118.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120H2Q0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 103 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120MNQ0SNGonsemiMOSFET Modules Full SiC MOSFET Module EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 80 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 20 A SiC Diode Nickel-plated DBC
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.17 EUR
10+99.49 EUR
24+96.04 EUR
48+88.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120MNQ0SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120MNQ0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 69 W
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.01 EUR
24+87.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0P2GonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 101-105 Tag (e)
1+111.87 EUR
10+101.39 EUR
24+97.89 EUR
48+94.39 EUR
120+90.89 EUR
264+90.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0P2GonsemiDescription: IC MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0P2TGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 80A TNPC PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0PGON SemiconductorIGBT Modules 1200V 80AT-TYPE IGBT PWR INTEG MODULE
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0PGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 65A 146mW 20-Pin Q0PACK Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S1GON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2GonsemiDescription: PIM 1200V 80A TNPC STAND
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 25 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.22 EUR
24+87.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2GonsemiIGBT Modules PIM 1200V, 80A TNPC STANDARD PINOUT
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.79 EUR
10+101.50 EUR
24+97.59 EUR
48+95.67 EUR
120+93.77 EUR
264+92.24 EUR
504+91.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2GON Semiconductor
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2GON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 67A 158000mW 20-Pin Q0PACK Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+116.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+111.87 EUR
10+101.39 EUR
24+97.89 EUR
48+94.39 EUR
120+90.89 EUR
264+90.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 65A 146000mW 20-Pin Q0PACK Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules 80A 1200V PIM Q0PACK
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0SGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: T-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.99 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L3Q0P3GonsemiDescription: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18150 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L3Q0S3GON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A/75A/50A/50A 188W Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L3Q0S3GonsemiDescription: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.15 nF @ 20 V
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+132.56 EUR
24+104.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L3Q0S3GonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), T-Type NPC 1200 V, 80 A IGBT, 600 V, 50 A IGBT Solder pins
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 101-105 Tag (e)
1+131.77 EUR
10+119.40 EUR
24+115.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L3Q0S3GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L3Q0S3TGonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80A TNPC (SOLDER PIN, TIM)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXHP270C5C520
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH