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NZT660

NZT660 ON Semiconductor

nzt660a-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NZT660 ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: SOT-223-4, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.

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NZT660 NZT660 Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000083804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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NZT660 NZT660 Hersteller : onsemi NZT660A-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
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NZT660 NZT660 Hersteller : onsemi nzt660a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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NZT660 Hersteller : ONSEMI nzt660a-d.pdf FAIR-S-A0000083804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 75MHz
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