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NZT660

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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NZT660 NZT660 ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NZT660 NZT660 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000083804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223-4
Frequency - Transition: 75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
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NZT660 NZT660 onsemi NZT660A-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
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3+1.55 EUR
10+0.96 EUR
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NZT660 NZT660 onsemi nzt660a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2607 Stücke:
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22+0.96 EUR
100+0.62 EUR
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1000+0.43 EUR
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NZT660
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NZT660 FAIR-S-A0000083804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NZT660
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223-4
Frequency - Transition: 75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
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NZT660
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
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500+0.48 EUR
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NZT660
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
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