PBR951,215 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-23
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 365mW
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details PBR951,215 NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 365mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB).
Weitere Produktangebote PBR951,215
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PBR951,215 | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 365mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBR951,215 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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PBR951,215 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN UHF 100MA |
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| PBR951,215 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 365mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 365mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
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| PBR951,215 |
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Bipolar Transistors - BJT
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RF Bipolar Transistors NPN UHF 100MA
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