PBSS2515E,115 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANS NPN 15V 0.5A SC-75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: SC-75
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
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Technische Details PBSS2515E,115 NXP USA Inc.
Description: TRANS NPN 15V 0.5A SC-75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 420MHz, Supplier Device Package: SC-75, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 250 mW.
Weitere Produktangebote PBSS2515E,115
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PBSS2515E,115 | NXP USA Inc. |
Description: TRANS NPN 15V 0.5A SC-75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 420MHz Supplier Device Package: SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 250 mW |
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PBSS2515E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS2515E,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 90 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: 420 Bauform - Transistor: SOT-416 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PBSS2515E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS2515E,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 90 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: 420 Bauform - Transistor: SOT-416 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| PBSS2515E,115 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANS NPN 15V 0.5A SC-75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: SC-75
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 15V 0.5A SC-75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: SC-75
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
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| PBSS2515E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS2515E,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 90
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 420
Bauform - Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: NEXPERIA - PBSS2515E,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 90
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 420
Bauform - Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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| PBSS2515E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS2515E,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 90
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 420
Bauform - Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: NEXPERIA - PBSS2515E,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 90
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 420
Bauform - Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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