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PBSS5540Z,115

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS5540Z,115 NXP/Nexperia/We-En PBSS5540Z_NXP.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 40, Ic = 5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 120, hFE = 150 @ 2 A, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,16 @ 200 мA, 2A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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PBSS5540Z,115 PBSS5540Z_NXP.pdf
Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 40, Ic = 5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 120, hFE = 150 @ 2 A, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,16 @ 200 мA, 2A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 Вт
Durchbruchspannung, Vbr: 40,6 В
Sperrspannung, Vrm: 33 В
Leckstrom, Irm: 1 мкА
Diodenbauart: Bidirektional
Montage: SMD
SMBJ33CA
auf Bestellung 944 St.:
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