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PDTC144ET,215

PDTC144ET,215 Nexperia

pdtc144e_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PDTC144ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC144ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc144e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc144e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC144ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Hersteller : Nexperia PDTC144ET.pdf Digital Transistors PDTC144ET/SOT23/TO-236AB
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1000+0.074 EUR
3000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA46A42B7CA747&compId=PDTC144E_SER.pdf?ci_sign=297519cad0bc365bbf90dba28818852f1cf1ff61 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 230MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Mindestbestellmenge: 40
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA46A42B7CA747&compId=PDTC144E_SER.pdf?ci_sign=297519cad0bc365bbf90dba28818852f1cf1ff61 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 230MHz
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC144E_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTC144ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 99 Stücke:
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC144E_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTC144ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc144e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC144ET,215 Hersteller : Philips PDTC144ET.pdf PDTC144ET,215
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PDTC144ET,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En PDTC144ET.pdf Транзистор цифровий; Структура = NPN; Uceo, В = 50; Ic, А = 0,1; hFE = 80 @ 5 мA, 5 В; Icutoff-max = 1 мкА; Ptot, Вт = 0,25; R1, кОм = 47; R2, кОм = 47; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мА; Тексп, °С = -65...+150; SMT-3
auf Bestellung 197 Stücke:
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PDTC144ET,215 Hersteller : NXP Semiconductors PDTC144ET.pdf NPN R1=R2=47K, SOT23-3 (SC-59)
auf Bestellung 20 Stücke:
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PDTC144ET.215 Hersteller : NXP Semiconductors Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC144ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC144ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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