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PDTC144ET.215

PDTC144ET.215 NXP

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Produktcode: 56033
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Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 80
ZCODE: SMD
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Nexperia pdtc144e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Nexperia pdtc144e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Nexperia pdtc144e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 Nexperia USA Inc. PDTC144ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PDTC144ET,215 PDTC144ET,215 NXP PDTC144EK.pdf NPN R1=R2=47K, SOT23-3 (SC-59) Транзистори
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PDTC144ET,215 Philips PDTC144ET.pdf PDTC144ET,215
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PDTC144ET,215 NXP/Nexperia/We-En PDTC144E_NXP.pdf Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, hFE = 80 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,25, R1, кОм = 47, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SMT-3 Од
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PDTC144ET,215
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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NPN R1=R2=47K, SOT23-3 (SC-59) Транзистори
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Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, hFE = 80 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,25, R1, кОм = 47, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SMT-3 Од
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MC78M05CDTG
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Gehäuse: TO-252
Uin, V: 35
Uout,V: 5
Iout,A: 0.5
Udrop, V: 2
Bemerkung: Positive Fixed
Temperaturbereich: 0…125
verfügbar: 18 St.
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Gehäuse: TSSOP-20
Kurzbeschreibung: Value-line ARM®-based 32-bit MCU with up to 256-KB Flash, timers, ADC, communication interfaces,
Strom, V: 2,4...3,6 V
Betriebstemperatur, °С: ARM® Cortex®-M0
Austauschbar: 32-Bit
Bemerkung: 48MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
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HC49US8.000MHz (30pF, 30PPM) 8,0MHz
Produktcode: 75972
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HC49US8.000MHz (30pF, 30PPM) 8,0MHz
Hersteller: Cinetech
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Resonatoren und Generatoren
Frequenz: 8 MHz
Gehäuse: HC-49/S-Kahn
Typ: Quarz Resonator
30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
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erwartet 1000 St.:
1000 St. - erwartet 03.07.2026
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1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo)
Produktcode: 85265
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pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 56424 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BFG135
Produktcode: 1783
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BFG135.pdf
BFG135
Hersteller: Philips
Transistoren > HF-Transistoren
Gehäuse: SOT-223
Freq.: 7 GHz, Breitband
Typ: NPN
Uce, V: 15
Ucb, V: 25
Ic, A: 0,15
auf Bestellung 167 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
100+0.99 EUR
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